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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優秀的SiC功率解決方案
UnitedSiC（現名Qorvo）擴充了其1200V產品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術推廣到電壓更高的應用中。新UF4C/SC系列中的六款新產品的規格從23毫歐到70毫歐，現以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發布的SiC FET具有不凡的性能，...
2022-06-15
SiC FET 高壓市場 解決方案
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對于光耦前向耦合電流增益的特性進行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對于光耦前向耦合電流增益的特性進行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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電動汽車對提高車輛效率的需求正在改變供應鏈
幾年來，xEV的普及率一直很高。預計2021至2027年間，全球xEV市場的復合年增長率將達到21%，所有細分市場的復合年增長率都將加快。隨著BEV采用率的快速增長，混合動力技術也將大幅增長。事實上，不同技術的普及率取決于地區。
2022-06-13
電動汽車 車輛效率 供應鏈
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保護IGBT和MOSFET免受ESD損壞
功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標志。然而，越熟悉越容易大意。從統計的角度來看，單個MOSFET不太可能被靜電放電（ESD)損壞。然而，在處理成千上萬個MOSFET時，極小的故障都可能帶來極大的影響。
2022-06-13
IGBT MOSFET ESD
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在自動駕駛汽車中實現5G和DSRC V2X
很顯然，車輛通信是實現更高的自動駕駛水平的重要推動因素。但是，長期以來，汽車廠商一直在研究分析所需的無線接入技術應基于蜂窩技術（也稱為C-V2X）還是基于直接接入技術（稱為DSRC）。在本文中，我們將展示未來的自動駕駛場景需要協調或組合使用這兩種技術。先進的多無線標準設備需要集成分別采...
2022-06-10
自動駕駛汽車 5G DSRC V2X
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安霸CV2FS/CV22FS獲得ASIL C芯片功能安全認證，超越市場同類芯片水平
2022年6月7日，美國加利福尼亞州圣克拉拉市，Ambarella (下稱“安霸”，納斯達克股票代碼：AMBA，專注AI視覺感知的半導體公司) 于今天宣布，其汽車AI視覺感知芯片（SoC）CV2FS/CV22FS成功通過exida的ASIL C芯片功能安全認證，獲得證書，并且其內置的功能安全島為ASIL D級別。CV2FS/CV22FS這一功能安全...
2022-06-08
安霸 CV2FS/CV22FS 芯片
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異步DC-DC升壓轉換器（包含續流二極管）還能實現低輻射嗎？
本文嘗試展示帶分立式續流二極管的異步轉換器如何還能實現低輻射。其中將會介紹不同類型的轉換器、布局和封裝，以及為何受控開關非常有效，還會詳細介紹在CISPR 25 5類輻射測試中，低EMI評估電路的通過測試結果。
2022-06-08
DC-DC升壓轉換器 低輻射 ADI
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25 kW SiC直流快充設計指南(第三部分)：PFC仿真
在本系列的前幾篇文章中，我們介紹了電動車快充系統的主要系統要求，概述了系統開發過程中的關鍵階段以及認識了參與設計25 kW SiC直流快充系統的工程師團隊。
2022-06-07
SiC 直流快充 PFC仿真
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