近日，瑞典 Ionautics 公司宣布其全新研發(fā)的 HiPSTER 25 緊湊型高性能高功率脈沖磁控濺射（HiPIMS）脈沖電源成功完成首次運行。Ionautics 成立于 2010 年，長期深耕于電離物理氣相沉積領(lǐng)域， HiPSTER 25提供高達 25kW 功率，不僅重新定義了行業(yè)高效運行模式，還極大提升了性能與能量效率。其采用的碳化硅（SiC）晶體管成為一大亮點。SiC 作為新型半導(dǎo)體材料，具備耐高溫、高頻率特性以及卓越導(dǎo)電性能。相較于傳統(tǒng)硅基材料，它能夠承受更高工作溫度，擁有更快開關(guān)速度，這大幅提升了能量效率與工藝穩(wěn)定性，有效減少了能量損失和熱管理難題，提供靈活且穩(wěn)定的鍍膜過程，有力確保了鍍膜質(zhì)量的一致性 。

HiPSTER 25 雙極模式

HiPSTER 25搭載的雙極HiPIMS技術(shù)，無需基底偏壓即可實現(xiàn)離子加速，簡化工藝步驟，提升鍍膜質(zhì)量與均勻性。通過精確調(diào)控離子能量和方向，它能在各類基材上形成光滑致密的涂層，顯著增強產(chǎn)品耐磨性、耐腐蝕性和光學(xué)性能。此外，該設(shè)備集成豐富的工藝參數(shù)調(diào)整選項，用戶可按需精細調(diào)節(jié)氣體流量、放電電壓和脈沖頻率等，無論是硬質(zhì)涂層、光學(xué)鍍膜還是電氣涂層，都能實現(xiàn)良好效果。其外部觸發(fā)多個電源的功能，更為復(fù)雜的多層鍍膜和復(fù)合結(jié)構(gòu)鍍膜創(chuàng)造了可能。

新型開關(guān)技術(shù)的應(yīng)用，讓 HiPSTER 25的HiPIMS脈沖頻率達到150kHz，高頻脈沖不僅提升鍍膜效率，還能促進薄膜均勻致密沉積，尤其在處理復(fù)雜三維結(jié)構(gòu)時優(yōu)勢顯著。增強的脈沖控制功能，可精準調(diào)節(jié)脈沖形狀、寬度和能量分布，成為研發(fā)新型材料和優(yōu)化現(xiàn)有工藝的得力工具。

HiPSTER 25 優(yōu)勢

為進一步保障鍍膜質(zhì)量，HiPSTER 25集成了Ionautics的反應(yīng)過程控制系統(tǒng)。該系統(tǒng)實時監(jiān)測和調(diào)節(jié)鍍膜化學(xué)反應(yīng)，精確控制鍍膜成分與結(jié)構(gòu)，減少缺陷和雜質(zhì)，提升鍍膜穩(wěn)定性和沉積率。經(jīng)過廣泛測試和優(yōu)化，HiPSTER 25在反應(yīng)式 HiPIMS 及其他各類磁控管工藝中均表現(xiàn)優(yōu)異。

從具體性能參數(shù)來看，HiPSTER 25輸出平均功率小于 25KW，支持電壓、電流、功率等多種調(diào)節(jié)模式，脈沖電流電弧控制反應(yīng)時間小于2μs；輸入電壓靈活適配100-240VAC，支持RS 232、RS 485等多種遠程通信方式。無論是單極模式下的高電壓大電流輸出，還是可選的雙極模式和脈沖模式直流，都能滿足多樣化的工藝需求。

廣泛應(yīng)用范圍

HiPSTER 25的應(yīng)用場景廣泛。在擴散屏障和電氣涂層制備中，它能增加涂層密度，提升擴散屏障阻隔性能，防止材料相互滲透；通過優(yōu)化涂層厚度和熱負荷，提高導(dǎo)電材料導(dǎo)電性與絕緣體隔離效果，為電子封裝和電力傳輸提供高效方案。在航空航天、醫(yī)療器械和汽車制造等對三維涂層要求嚴苛的行業(yè)，HiPSTER 25憑借出色的鍍膜均勻性，可在復(fù)雜形狀基材上實現(xiàn)薄膜均勻覆蓋，助力高端制造升級。

瑞典Ionautics以推動行業(yè)進步為使命，未來，我們將繼續(xù)深耕HiPIMS技術(shù)領(lǐng)域，以HiPSTER 25為新起點，持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)品性能，拓展應(yīng)用邊界。同時，我們希望通過HiPSTER 25搭建與全球客戶緊密合作的橋梁，共同探索離子鍍膜技術(shù)。