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3.7V電池電源保護(hù)方案
大多數(shù)手機(jī)或便攜電子產(chǎn)品電路設(shè)計(jì)防浪涌的時(shí)候，電池端TVS管的電路設(shè)計(jì)不合理，造成TVS鉗位電壓過(guò)高，加到后端的殘壓過(guò)高而損壞后端電路。在整改過(guò)程中就有可能要增加更多的TVS做保護(hù)，甚至還要更換其他元件來(lái)配合，無(wú)形中就增加了整改的難度和成本。所以，我們就需要分析一下防浪涌設(shè)計(jì)的一些問(wèn)題...
2023-11-06
電池電源 保護(hù) 方案
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增強(qiáng)型 GaN 晶體管的電氣特性
對(duì)于使用過(guò)功率 MOSFET 的電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)師來(lái)說(shuō)，升級(jí)到增強(qiáng)型 GaN 晶體管非常簡(jiǎn)單?；静僮魈匦苑浅Ｏ嗨?，但在高效設(shè)計(jì)中需要考慮一些特性，以便從這種新一代設(shè)備中獲得利益。
2023-11-05
GaN 晶體管 電氣特性
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從東軟睿馳openVOC 看多域融合趨勢(shì)下的智能汽車(chē)進(jìn)化之路
OpenAI正讓微軟重新成為全球最領(lǐng)先的科技公司，放在10年前這完全不可想象，而隨著新四化顛覆了整個(gè)汽車(chē)產(chǎn)業(yè)，汽車(chē)的定義也在悄然的發(fā)生著改變。 過(guò)去硬件決定汽車(chē)高度，現(xiàn)在軟件重新定義汽車(chē)，其中，整車(chē)架構(gòu)、智能座艙、智能駕駛成為了未來(lái)汽車(chē)新的發(fā)力點(diǎn)，而身處汽車(chē)智能化的時(shí)代，隨著蘋(píng)果、...
2023-11-01
智能汽車(chē)
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模擬技術(shù)中的 ESD 穩(wěn)健設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)
隨著便攜式電子產(chǎn)品、“智能設(shè)備”和汽車(chē)電子產(chǎn)品的不斷普及，對(duì) IC 中嵌入模擬功能的需求也不斷增加。這推動(dòng)了對(duì)特定模擬技術(shù)的需求，這些技術(shù)在整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)中所占的份額越來(lái)越大。
2023-11-01
模擬技術(shù) ESD ST 白皮書(shū)
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用并聯(lián)48V DC－DC穩(wěn)壓器提高自主駕駛車(chē)輛的功率
隨著包括主動(dòng)懸掛、轉(zhuǎn)向、氣候控制、電動(dòng)座椅和電動(dòng)車(chē)窗以及高級(jí)信息娛樂(lè)系統(tǒng)在內(nèi)的電氣系統(tǒng)數(shù)量的增多，對(duì)電源的需求也在日益增加，進(jìn)而推動(dòng)了汽車(chē)電源系統(tǒng)從 12 V 向 48 V 的轉(zhuǎn)變。事實(shí)證明，48 V 電源是有效提供大量電能的最佳選擇，而 12 V 系統(tǒng)則需要昂貴的元器件和大量的布線工作，否則就無(wú)法...
2023-11-01
并聯(lián)48V DC－DC穩(wěn)壓器 自主駕駛 車(chē)輛 功率
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具有雙電壓額定值的變壓器配置
具有雙電壓額定值的變壓器使用多個(gè)H和X繞組運(yùn)行，每個(gè)繞組能夠處理不同的電壓。配置涉及這些繞組的串聯(lián)或并聯(lián)，影響整體電壓輸出。
2023-10-30
雙電壓 變壓器配置
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如何實(shí)現(xiàn)高效的供電網(wǎng)絡(luò) (PDN) 設(shè)計(jì)
在為 5G 應(yīng)用設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)，設(shè)計(jì)人員必須考慮此類(lèi)應(yīng)用固有的寬頻率范圍，從穩(wěn)壓器中的中頻到 FPGA內(nèi)核中的高時(shí)鐘頻率。這種端到端的全雙工設(shè)計(jì)對(duì)于優(yōu)化電源、電源轉(zhuǎn)換和配電過(guò)程的性能至關(guān)重要。
2023-10-30
供電網(wǎng)絡(luò) PDN設(shè)計(jì)
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選擇合適的 ESD 器件
如今，電路板設(shè)計(jì)人員面臨著多種 ESD 保護(hù)選擇。設(shè)計(jì)人員通常會(huì)受到某些限制的限制，例如他/她的應(yīng)用可以承受的寄生電容量或電路板必須通過(guò)的所需 ESD 級(jí)別。通常，這些限制不會(huì)將可用的 ESD 設(shè)備數(shù)量縮小到可管理的列表。本白皮書(shū)將為設(shè)計(jì)人員提供指導(dǎo)，幫助他/她選擇 ESD 器件，從而地實(shí)現(xiàn)成功的...
2023-10-27
ESD 器件 電路板設(shè)計(jì)
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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、開(kāi)啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動(dòng)器IC和功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)之間的外...
2023-10-25
IGBT／MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器
- 如何解決在開(kāi)關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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