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安森美的可持續(xù)電源方案將成為PCIM的焦點
2023年5月8日——領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON），將在2023年5月9日至11日于德國紐倫堡舉行的領(lǐng)先的電力電子展覽及會議PCIM歐洲，展示其最新的可持續(xù)電源的創(chuàng)新成果。
2023-05-09
安森美 電源方案 PCIM
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貿(mào)澤電子隆重推出新一期EIT計劃，重點介紹綠色能源儲能系統(tǒng)
2023年5月9日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布推出其屢獲殊榮的Empowering Innovation Together?（共求創(chuàng)新，EIT）計劃2023全新內(nèi)容系列。本年度第一期EIT的主題是綠色能源儲能系統(tǒng)，重點關(guān)注儲能系統(tǒng)的需求、潛力和未來，以及...
2023-05-09
貿(mào)澤電子 綠色能源 儲能系統(tǒng)
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多電壓SoC電源設(shè)計技術(shù)
最小化功耗是促進(jìn)IC設(shè)計現(xiàn)代發(fā)展的主要因素，特別是在消費(fèi)電子領(lǐng)域。設(shè)備的加熱，打開/關(guān)閉手持設(shè)備功能所需的時間，電池壽命等仍在改革中。因此，采用芯片設(shè)計的最佳實踐來幫助降低SoC（片上系統(tǒng)）和其他IC（集成電路）的功耗變得非常重要。
2023-05-06
多電壓SoC電源
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將無線充電提升到新水平
傳統(tǒng)的無線充電技術(shù)，包括基于 Qi 標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)，由于效率低下且只能在較低功率水平下運(yùn)行，因此實際上僅適用于智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、醫(yī)療植入物和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品等小型設(shè)備。它們的低效率意味著它們在碳排放方面對環(huán)境不友好，而且它們產(chǎn)生的熱量會減慢充電速度，因此必須進(jìn)行散熱。
2023-05-05
無線充電 可穿戴設(shè)備
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陰極偏置電阻和反饋電阻的計算?
運(yùn)算放大器在輸入為0V的時候，輸出不一定為0V，可能幾十uV到幾mv，這個叫做運(yùn)算放大器的直流偏置，如果放大倍數(shù)比較大的話，這個直流偏置也會被放大，為了消除直流偏置，在運(yùn)放的電源端和輸入端加一個幾M的電阻，或者有的運(yùn)放本身就有調(diào)零端Voffset，接上一個電阻用于抵消直流偏置，這個電阻就叫做...
2023-05-05
陰極偏置電阻 反饋電阻
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一份密封連接器的選型指南，請查收！
隨著連接器在電氣互連中的應(yīng)用原來越廣泛，其面對的應(yīng)用環(huán)境也越來越復(fù)雜，當(dāng)面臨著惡劣環(huán)境，有特殊防水、防塵要求時，密封型的連接器就該登場了。
2023-04-30
密封連接器 選型指南
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如何在高速信號中快速定位故障，進(jìn)行PCIe失效分析
FA/RMA工程師需要在嚴(yán)苛的客戶投訴、產(chǎn)線運(yùn)轉(zhuǎn)時間中，能夠有足夠的手段以及盡可能低的學(xué)習(xí)成本，快速驗證諸如PCIe高速總線的故障，從而能夠更快更好的給RD提出有效的反饋，甚至能夠推動RD優(yōu)化設(shè)計，確保團(tuán)隊能夠得到持續(xù)的正向發(fā)展和評價。
2023-04-26
高速信號 快速定位 PCIe失效
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納芯微模擬IC在光伏系統(tǒng)中的一站式解決方案
近年來，可再生能源已成為全球能源革命和應(yīng)對氣候變化的主導(dǎo)方向和一致行動，光伏作為重要的可再生能源發(fā)電技術(shù)正在快速發(fā)展，成為清潔、低碳并具有價格競爭力的能源形式。
2023-04-26
納芯微 模擬IC 光伏系統(tǒng)
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用于集成太陽能和儲能系統(tǒng)的5種轉(zhuǎn)換器拓?fù)?/span>
儲能系統(tǒng)價格變得越來越實惠，電價也在上漲，因此對可再生能源的需求不斷增加。許多住宅現(xiàn)在使用太陽能發(fā)電和電池儲能相結(jié)合的系統(tǒng)，確保在太陽能無法滿足需求時能夠提供能源。圖 1 展示了一個住宅用例，圖 2 展示了如何將典型的光伏逆變器系統(tǒng)與儲能系統(tǒng)進(jìn)行集成。
2023-04-25
太陽能 儲能系統(tǒng) 轉(zhuǎn)換器拓?fù)?/p>
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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