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SiC MOSFET模塊的硬并聯(lián)
以對稱的布板設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)4個(gè)6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)，給出了實(shí)際的測量結(jié)果。最后還通過門特卡羅分析來演繹批量器件應(yīng)用在并聯(lián)場合下的溫度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET并聯(lián)使用的可行性。
2022-02-17
SiC MOSFET 模塊 硬并聯(lián)
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一個(gè)正負(fù)5v穩(wěn)壓電源的簡單制作
在正常情況下我們很難找到一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的正負(fù)電源，就連我們使用的電池電壓都是正的，如果找到一個(gè)負(fù)電源那真是很難，而我們又會經(jīng)常會用到正負(fù)電源，這時(shí)候我們就得想辦法得到一個(gè)正負(fù)電源了，今天就教給大家一個(gè)非常簡單的方法，讓你輕輕松松制作一個(gè)正負(fù)5v的穩(wěn)壓電源。
2022-02-16
正負(fù)5v穩(wěn)壓電源
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充分挖掘SiC FET的性能
功率轉(zhuǎn)換器的性能通常歸結(jié)到效率和成本上。實(shí)際示例證明，在模擬工具的支持下，SiC FET技術(shù)能兼顧這兩點(diǎn)。
2022-02-16
SiC FET 功率轉(zhuǎn)換器
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安森美的NCP1680 PFC控制器獲2021 PowerBest獎(jiǎng)
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi）很高興地宣布，其領(lǐng)先市場的NCP1680臨界導(dǎo)通模式(CrM)無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)控制器獲《Electronic Design》授予PowerBest獎(jiǎng)。
2022-02-15
安森美 NCP1680 PFC控制器 PowerBest獎(jiǎng)
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如何進(jìn)一步優(yōu)化可實(shí)現(xiàn)顯示屏的 LED 驅(qū)動器
驅(qū)車行駛在城市的大街上時(shí)，環(huán)顧一下四周，您會看到越來越多的全色 LED 標(biāo)牌及留言板出現(xiàn)在商店、飯店和辦公大樓的外墻上。隨著 LED 矩陣顯示系統(tǒng)產(chǎn)量的快速增長，廣告標(biāo)牌現(xiàn)在可提供商店老板可承受的價(jià)格。為了支持這一需求，我們正在努力開發(fā)新技術(shù)，進(jìn)一步優(yōu)化可實(shí)現(xiàn)這些顯示屏的 LED 驅(qū)動器。
2022-02-14
顯示屏 LED 驅(qū)動器
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功率半導(dǎo)體電流額定值和熱設(shè)計(jì)
電流額定值相關(guān)的溫度可能與實(shí)際工作條件有關(guān)，也可能無關(guān)。如果有關(guān)，電流額定值可用于指示實(shí)際應(yīng)用中器件的電流能力。如果器件的額定值是在典型工作環(huán)境（如25oC）不會遇到的溫度時(shí)得出的值，它就無法提供應(yīng)用中實(shí)際器件能力的信息。該值只能用來比較相似器件在相同溫度時(shí)的電流額定值
2022-02-14
功率半導(dǎo)體 電流額定值 熱設(shè)計(jì)
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一文弄懂IGBT驅(qū)動
要了解什么是IGBT驅(qū)動，首先你需要了解什么是IGBT。我們都知道，電機(jī)驅(qū)動是IGBT的主要應(yīng)用領(lǐng)域之一。
2022-02-11
IGBT驅(qū)動
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針對負(fù)電壓浪涌的對策及其效果
繼上一篇“正電壓浪涌對策”之后，本文將會通過示例來看針對負(fù)電壓浪涌的對策及其效果。
2022-02-11
負(fù)電壓浪涌 對策
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派恩杰SiC驅(qū)動設(shè)計(jì)新探索：如何避免誤開通？
隨著SiC 工藝逐漸成熟和成本不斷下降，SiC MOSFET憑借整體性能優(yōu)于硅基器件一個(gè)數(shù)量級的優(yōu)勢正逐漸普及，獲得越來越多的工程應(yīng)用。相較于傳統(tǒng)的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的導(dǎo)通電阻，更快的開關(guān)速度，使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度化，因此廣泛...
2022-02-10
派恩杰 SiC驅(qū)動設(shè)計(jì) 誤開通
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
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