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德州儀器：DC DC 轉(zhuǎn)換器 EMI 的工程師指南（三）——了解功率級(jí)寄生效應(yīng)
DC/DC轉(zhuǎn)換器中半導(dǎo)體器件的高頻開(kāi)關(guān)特性是主要的傳導(dǎo)和輻射發(fā)射源。本文章系列的第2部分回顧了DC/DC 轉(zhuǎn)換器的差模（DM）和共模（CM）傳導(dǎo)噪聲干擾。
2019-09-10
DC DC 轉(zhuǎn)換器 EMI 寄生效應(yīng)
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模擬電路8大概念，你爛熟于心了嗎？
在電子電路中，電源、放大、振蕩和調(diào)制電路被稱為模擬電子電路，因?yàn)樗鼈兗庸ず吞幚淼氖沁B續(xù)變化的模擬信號(hào)。
2019-09-10
模擬電路 放大器
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詳解FIR濾波器與IIR濾波器的具體區(qū)別
兩種濾波器都是數(shù)字濾波器。根據(jù)沖激響應(yīng)的不同，將數(shù)字濾波器分為有限沖激響應(yīng)（FIR）濾波器和無(wú)限沖激響應(yīng)（IIR）濾波器。對(duì)于FIR濾波器，沖激響應(yīng)在有限時(shí)間內(nèi)衰減為零，其輸出僅取決于當(dāng)前和過(guò)去的輸入信號(hào)值。對(duì)于IIR濾波器，沖激響應(yīng)理論上應(yīng)會(huì)無(wú)限持續(xù)，其輸出不僅取決于當(dāng)前和過(guò)去的輸入信...
2019-09-09
FIR濾波器 IIR濾波器 區(qū)別
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揭曉ADC的“前世今生”：RF采樣ADC給系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)獨(dú)特優(yōu)勢(shì)
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器充當(dāng)現(xiàn)實(shí)模擬世界與數(shù)字世界之間的橋梁已有數(shù)十年的歷史。從占用多個(gè)機(jī)架空間并消耗大量電能（例如DATRAC 11位50kSPS真空管ADC的功耗為500W）的分立元件起步，數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器現(xiàn)已蛻變?yōu)楦叨燃傻膯涡酒琁C。
2019-09-09
ADC RF采樣
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熱失控保護(hù)
熱失控對(duì)電子設(shè)備的威脅日益加劇，原因在于電子設(shè)備中越來(lái)越大的功率被壓縮于愈加緊湊的空間 當(dāng)中；傳統(tǒng)方法無(wú)法妥善應(yīng)對(duì)這種威脅。SMD溫度保險(xiǎn)絲提供了一種解決方案，可實(shí)現(xiàn)260°C回流 焊，又能在達(dá)到210°C時(shí)熔斷。
2019-09-09
熱失控保護(hù) 溫度保險(xiǎn)絲
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MOSFET Qrr—在追求能效時(shí)，忽視這一參數(shù)是危險(xiǎn)的
在電流流經(jīng)MOSFET體二極管的應(yīng)用中，反向恢復(fù)電荷Qrr會(huì)引起一些重大的挑戰(zhàn)，設(shè)計(jì)工程師需要仔細(xì)處理。在低功耗充電器和適配器產(chǎn)品應(yīng)用中，其開(kāi)關(guān)頻率高且負(fù)載電流一般小于5A，對(duì)I2R損耗的關(guān)注較少，設(shè)計(jì)工程師應(yīng)密切關(guān)注動(dòng)態(tài)損耗。選擇低Qrr MOSFET可以降低尖峰值，提高效率，降低EMI輻射。
2019-09-09
MOSFET EMI輻射
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干貨：步進(jìn)電機(jī)噪聲、振動(dòng)的抑制
當(dāng)驅(qū)動(dòng)步進(jìn)電機(jī)時(shí)，如果發(fā)現(xiàn)步進(jìn)電機(jī)處于靜止?fàn)顟B(tài)時(shí)，其內(nèi)部依然發(fā)出很明顯的噪音，有點(diǎn)類似線圈快速變化那種，一般是由于線圈電流過(guò)大導(dǎo)致的。
2019-09-06
步進(jìn)電機(jī) 噪聲 振動(dòng)
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【技術(shù)解析】晶振旁邊接的兩個(gè)電容是起什么作用？
關(guān)于晶振旁邊的兩個(gè)電容起到的作用，有人說(shuō)是負(fù)載電容，是用來(lái)糾正晶體的振蕩頻率用的;有人說(shuō)是啟振電容;有人說(shuō)起諧振作用的。
2019-09-06
晶振 電容
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直播邀約：福祿克振動(dòng)狀態(tài)監(jiān)測(cè)方案及產(chǎn)品線介紹
在這里還有驚喜互動(dòng)禮品等著您：現(xiàn)場(chǎng)申請(qǐng)預(yù)約演示的前10位用戶可獲得飛利浦多孔魔方插線板。
2019-09-05
福祿克 監(jiān)測(cè)
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