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    ZXMC10A816:Diodes推出新型雙MOSFET組合式器件

    發布時間:2009-07-07 來源:Diodes Incorporated

    產品特點:
    • 采用SO8封裝
    • 包含一對互補100V增強式MOSFET
    • 典型導通電阻分別為230m? 和235m?
    • 功率耗散分別為2.4W及2.6W
    應用范圍:
    Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件,它采用SO8封裝,包含一對互補100V增強式MOSFET,性能可媲美體積更大的獨立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路,應用范圍包括直流風扇和逆變器電路、D類放大器輸出級以及其他多種48V應用。

    Diodes 亞太區技術市場總監梁后權指出:“這個N通道和P通道組合的MOSFET能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件,有助減省電路板空間及元件數目,同時簡化柵極驅動電路設計。比方說,SO8充分發揮了節省空間的功能,其占位面積只有31 mm2,僅為兩個SOT223 MOSFET的30%。”

    最新雙器件封裝內的N與P通道MOSFET,可在10V柵極電壓 (VGS) 下實現極低的柵極電荷,典型導通電阻 (RDS(ON)) 分別為230m? 和235m?,確保開關及導通損耗保持在最低水平。功率耗散分別為2.4W及2.6W。

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