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    一種用于戶外電源電池管理系統(tǒng)的冗余設計

    發(fā)布時間:2023-04-12 來源:TI 責任編輯:wenwei

    【導讀】便攜儲能市場的快速增長帶來了戶外電源這一消費品類,并且隨著消費者對用電需求增加,使得戶外電源功率不斷增大。為了保證戶外電源的安全,電池管理系統(tǒng)(BMS)設計需要高度可靠,有些設計者會采用冗余設計來實現(xiàn)該需求。本文介紹一種戶外電源BMS中的冗余設計策略,以避免單點失效。


    1. 供電環(huán)節(jié)冗余設計


    BMS板上的主要用電設備有MCU、模擬前端、信號調理芯片、通信芯片等。其中,模擬前端由電池直接供電,而信號調理、通信、風扇、顯示這些用電設備不直接影響系統(tǒng)安全,由降壓芯片將電池轉換為合適電壓供電即可。MCU最為重要,它不僅用于接收、處理、傳輸數(shù)據(jù),還用于直接下達保護指令,因此需要冗余供電,常見的冗余供電設計如下圖1所示。


    1.png

    圖1 戶外電源BMS供電系統(tǒng)框圖


    圖1顯示MCU具備兩路供電鏈路,主鏈路由降壓芯片將電池電壓轉換到3.3V供電,副鏈路通過模擬前端芯片內置的LDO供電。當降壓芯片由于干擾或其他原因工作異常,導致MCU掉電,切換到模擬前端供電,此時系統(tǒng)報告異常,停止充電或者放電。此外,模擬前端的LDO輸出經(jīng)Oring模塊(LM5050)連接MCU供電,正常工況下不從該鏈路取電。一旦主鏈路掉電,不間斷切換到該鏈路供電,防止MCU掉電重啟,丟失數(shù)據(jù)。該冗余設計也可用于降低系統(tǒng)功耗,正常工作時系統(tǒng)從降壓芯片取電,所有外設均工作。進入休眠態(tài)后,降壓芯片禁用,MCU由模擬前端供電,其余外設不工作。


    2.采樣環(huán)節(jié)冗余設計


    模擬前端(AFE)芯片BQ76952可用于1-16s電芯的監(jiān)控,適用于2kw-5kw的戶外電源BMS中。AFE自帶電芯電壓采樣、電池包電壓采樣,也可外接采樣電阻監(jiān)測電流。為保證采樣系統(tǒng)的可靠,增加了外部采樣環(huán)節(jié),如圖2所示,包括高精度電流采樣運放INA280和通用運放OPA197采集電流和電池包電壓。 正常工況下MCU從AFE和外部采樣環(huán)節(jié)得到的電壓電流數(shù)據(jù)無太大差異,平均處理后即可傳輸?shù)酵獠肯到y(tǒng)中,當AFE和外部采樣環(huán)節(jié)得到的數(shù)據(jù)差異性過大,系統(tǒng)認為存在異常,停止充電或者對外放電。


    2.png圖2 戶外電源BMS功能系統(tǒng)框圖


    3. 復位環(huán)節(jié)冗余設計


    BQ76952帶有Watchdog功能,喂狗時間可在0-65535s間配置。MCU需要在喂狗時間間隔內定期發(fā)送指令給AFE,否則將自動禁用AFE內部LDO一段時間后再使能,使得MCU掉電重啟。為保證復位系統(tǒng)的可靠,還采用外部Reset芯片TPS3431用于冗余系統(tǒng)復位。正常工況下,AFE內置的Watchdog用于自動停止充電或者對外放電,而外部芯片則用于系統(tǒng)復位。休眠態(tài)時靠AFE內置Watchdog使得MCU掉電重啟。


    4. 保護環(huán)節(jié)冗余設計


    BQ76952帶有電壓、電流保護,且可配置成多級保護。為避免AFE失效時系統(tǒng)無法工作,增加比較器,將外部采樣環(huán)節(jié)得到的電壓電流通過比較器LM293獲得觸發(fā)信號給MCU。正常工作時,前兩級保護配置在AFE中,將比較器獲得的觸發(fā)信號做第三級保護,如圖2所示。


    5. 戶外電源電池包熱拔插設計


    由于眾多消費者對戶外電源續(xù)航的要求,滋生出了新的設計考量,即在主電池包基礎上增添副電池包,并且可支持熱拔插,來實現(xiàn)不間斷供電。然而在主電池包向副電池包換流過程中,低壓側電池包的充電FET的體二極管容易承受大電流,導致過熱,如圖3所示,如果時間過長會損壞FET。


    3.png

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    圖3 主電池包向副電池包換流過程


    由于系統(tǒng)架構采用MCU發(fā)指令給AFE的模式,如圖4所示,AFE在收到導通指令后,需要經(jīng)過固有延時(最長會到250ms)才導通FET,如圖5,這使得體二極管承受長時間大電流,容易損壞。盡管AFE具備體二極管保護功能,然而該應用場景不能使能該功能。這是因為不間斷供電的需求,以及防止高壓電池包電流倒灌到低壓電池包,系統(tǒng)會首先關斷CHG FET,電流換流到CHG FET的體二極管。此時如果觸發(fā)體二極管保護功能,充電FET會重新自動導通,形成倒灌,所以不可取。


    6.png

    圖4 BMS FET控制架構


    1678701362479077.png

    圖5 AFE導通時間存在固有延時


    加快FET的導通可以減小體二極管承受電流的時間,因此換流過程中采用MCU直驅的方式來快速閉合FET,以達到目的,控制架構如圖6所示,將AFE的DCHG/DDSG信號與MCU的控制信號與邏輯后,通過高邊驅動控制FET


    8.png

    圖6 添加MCU直驅的控制架構


    常規(guī)工況下,MCU恒定給高電平,系統(tǒng)靠AFE控制。發(fā)生熱插拔時, AFE先恒定給高電平,靠副包的MCU信號快速導通開關管。


    來源:TI

    作者:Chen, Dillen



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