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貿(mào)澤榮獲Vishay頒發(fā)的三項(xiàng)年度分銷商大獎(jiǎng)
2022年7月8日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 非常榮幸地宣布同時(shí)獲得知名電子元件制造商Vishay Intertechnology, Inc.頒發(fā)的三項(xiàng)大獎(jiǎng)。這三個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)分別為2021年度美洲優(yōu)質(zhì)服務(wù)分銷商、2021年度美洲優(yōu)質(zhì)服務(wù)半導(dǎo)體分銷商和2021年度EMEA優(yōu)質(zhì)服務(wù)分銷商。
2022-07-08
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依然缺貨，銷售額飆升：汽車MCU的市場(chǎng)走勢(shì)，你看懂了嗎？
目前，市場(chǎng)上主流的處理器架構(gòu)主要有三種，分別是Intel和AMD領(lǐng)銜的x86架構(gòu)、應(yīng)用廣泛的Arm架構(gòu)以及近幾年風(fēng)聲水起的RISC-V架構(gòu)。作為一家芯片公司，Arm不生產(chǎn)芯片，但全球卻有數(shù)十億設(shè)備運(yùn)行在基于Arm內(nèi)核的芯片上，Arm的芯片技術(shù)幾乎覆蓋了包括智能手機(jī)、汽車以及物聯(lián)網(wǎng)等眾多行業(yè)應(yīng)用。根據(jù)Arm的預(yù)測(cè)，從2021年開始到下一個(gè)十年，基于Arm架構(gòu)的處理器出貨量將達(dá)到3,000億只。
2022-07-06
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瑞薩電子與易靈思及中印云端合作共同拓展異構(gòu)SoM應(yīng)用市場(chǎng)
2022 年 7 月 4 日，中國(guó)上海、深圳訊 – 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723），與專注于國(guó)產(chǎn)FPGA的易靈思（深圳）科技有限公司（以下，易靈思）和AIoT解決方案供應(yīng)商中印云端（深圳）科技有限公司（以下，中印云端）今日宣布，合作共同推出ProMe系列異構(gòu)SoM（System on Module）。ProMe系列異構(gòu)SoM是將微控制器（MCU）、FPGA、可編程混合信號(hào)矩陣集成在板卡的一項(xiàng)技術(shù)，能夠幫助用戶在設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)，取代傳統(tǒng)“芯片先定”的開發(fā)策略，只需進(jìn)行功能接口的外圍電路設(shè)計(jì)，從而降低硬件開發(fā)難度，節(jié)省開發(fā)時(shí)間，并可幫助客戶更快完成產(chǎn)品升級(jí)迭代。
2022-07-04
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貿(mào)澤電子連續(xù)第五年榮獲Littelfuse年度全球分銷商獎(jiǎng)
2022年6月30日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 榮獲Littelfuse頒發(fā)的2021年度全球卓越服務(wù)分銷商獎(jiǎng)。Littelfuse是一家致力于打造一個(gè)可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全世界的工業(yè)技術(shù)制造公司。這是貿(mào)澤連續(xù)第5年、歷年來(lái)第11次獲得這項(xiàng)大獎(jiǎng)。
2022-07-02
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ATE引腳電子器件的電平設(shè)置DAC校準(zhǔn)
本文提供一種校準(zhǔn)數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)的方法，專用于引腳電子器件驅(qū)動(dòng)器、比較器、負(fù)載、PMU和DPS。DAC具有差分非線性(DNL)和積分非線性(INL)等非線性特性，我們可以通過(guò)增益和偏置調(diào)整來(lái)盡可能降低這些特性。本文描述如何執(zhí)行這些校準(zhǔn)，以改善電平設(shè)置性能。
2022-06-28
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貿(mào)澤電子授權(quán)分銷豐富多樣的Renesas產(chǎn)品
2022年6月22日 –提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 是Renesas Electronics解決方案的全球授權(quán)分銷商。貿(mào)澤備有4300多種Renesas產(chǎn)品，包括Dialog Semiconductor、Integrated Device Technology (IDT) 和Intersil公司的產(chǎn)品，并提供了一系列Renesas創(chuàng)新解決方案，幫助采購(gòu)人員和工程師將其產(chǎn)品推向市場(chǎng)。
2022-06-22
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Arm SystemReady創(chuàng)下新里程 為數(shù)據(jù)中心夯實(shí)創(chuàng)新根基
Arm? 近日發(fā)布自 Arm SystemReadyTM 推出 18 個(gè)月以來(lái)，獲得產(chǎn)業(yè)廣泛合作伙伴的支持，并已頒布超過(guò) 50 張認(rèn)證，其中Microsoft? Azure? 基于Arm架構(gòu)的 Ampere? Altra? 處理器的服務(wù)器獲得 SystemReady SR 認(rèn)證，成為首個(gè)獲得認(rèn)證的云服務(wù)提供商服務(wù)器，其搭載Arm架構(gòu)的Ampere Altra 處理器的Azure虛擬機(jī)系列也是首批獲得新的 Arm SystemReady VE （Virtual Environment，虛擬環(huán)境）認(rèn)證的虛擬系統(tǒng)。此外，Arm在中國(guó)的生態(tài)也表現(xiàn)亮眼，包括浪潮信息、工業(yè)富聯(lián)、聯(lián)泰集群、聯(lián)想、日海飛信、瑞芯微電子等眾多芯片設(shè)計(jì)與 OEM 及 ODM 廠商均已加入 SystemReady 計(jì)劃，認(rèn)證范圍涵蓋服務(wù)器、 5G網(wǎng)絡(luò)、物聯(lián)網(wǎng)邊緣計(jì)算等應(yīng)用產(chǎn)品。
2022-06-21
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變頻器用IGBT模塊的故障分析及靜態(tài)測(cè)量
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
2022-06-21
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艾邁斯歐司朗就出售其數(shù)字照明系統(tǒng)歐洲和亞洲業(yè)務(wù)與英飛特電子達(dá)成協(xié)議
全球領(lǐng)先的光學(xué)解決方案供應(yīng)商艾邁斯歐司朗（瑞士證券交易所股票代碼：AMS）宣布，與全球LED驅(qū)動(dòng)電源供應(yīng)商英飛特電子（INVENTRONICS）達(dá)成協(xié)議，將向英飛特電子出售數(shù)字照明系統(tǒng)（Digital Systems）歐洲和亞洲的業(yè)務(wù)。艾邁斯歐司朗將繼續(xù)專注于高科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，以及汽車、娛樂(lè)和工業(yè)照明業(yè)務(wù)。該交易標(biāo)志著艾邁斯歐司朗戰(zhàn)略實(shí)施的又一個(gè)里程碑，該戰(zhàn)略將專注于光源、可視化和傳感等核心技術(shù)領(lǐng)域，剝離非戰(zhàn)略核心業(yè)務(wù)。本次交易遵循慣例交易約束。
2022-06-16
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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場(chǎng)提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案
UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐，現(xiàn)以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能，是不斷成長(zhǎng)的電動(dòng)車市場(chǎng)向著800V母線車載充電器（OBC）和直流轉(zhuǎn)換器邁進(jìn)過(guò)程中的理想選擇。與前幾代一樣，新FET也非常適合工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、光伏轉(zhuǎn)換器、不間斷電源和各種其他功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
2022-06-15
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適合工業(yè)應(yīng)用的魯棒SPI/I2C通信
對(duì)于控制器和外設(shè)之間的短距離電路板內(nèi)連接，串行外設(shè)接口(SPI)和Inter-Integrated Circuit (I2C)接口是流行的事實(shí)上的通信標(biāo)準(zhǔn)。由于存在廣泛的硬件和軟件支持，SPI和I2C已被傳感器、執(zhí)行器和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器制造商廣泛采用。當(dāng)控制器和外設(shè)位于同一電路板上、共享同一接地層且相距不遠(yuǎn)（不大于1米）時(shí)，這些接口的實(shí)現(xiàn)相當(dāng)簡(jiǎn)單。
2022-06-14
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使用新型MEMS開關(guān)加快測(cè)試能力并提高系統(tǒng)產(chǎn)出
先進(jìn)的數(shù)字處理器IC要求通過(guò)單獨(dú)的DC參數(shù)和高速數(shù)字自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)測(cè)試，以達(dá)到質(zhì)保要求。這帶來(lái)了很大的成本和組織管理挑戰(zhàn)。本文介紹 ADGM1001 SPDT MEMS開關(guān)如何助力一次性通過(guò)單插入測(cè)試，以幫助進(jìn)行DC參數(shù)測(cè)試和高速數(shù)字測(cè)試，從而降低測(cè)試成本，簡(jiǎn)化數(shù)字/RF片上系統(tǒng)(SoC)的測(cè)試流程。
2022-06-09
- 如何解決在開關(guān)模式電源中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)？
- 不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用氮化鎵技術(shù)時(shí)面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
- 多通道同步驅(qū)動(dòng)技術(shù)中的死區(qū)時(shí)間納米級(jí)調(diào)控是如何具體實(shí)現(xiàn)的？
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- 儀表放大器如何驅(qū)動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)終端智能感知？
- 儀表放大器如何成為精密測(cè)量的幕后英雄？
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