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被動元件的交貨周期將繼續延長
2010年4月，被動電子元件的交貨期繼續延長，由于需求的增長導致供應鏈持續緊張。根據Paumanok Publications, Inc公司的調查，就電容、線性電阻和分立電感產品線中的重點14類被動元件來說，通過分析2010年3月10日和4月25日的數據，我們注意到平均每45天供貨周期就延長4%，但是特定產品線的情況更為嚴重，而其他的則沒有什么跡象。
2010-05-10
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新型LED電源無需電解電容，壽命超過4萬小時
創意電子新近推出的TK5401就是這樣一款LED驅動電源IC，它具有不需要DC電源特性中所必須的電解電容的特性，使得LED壽命高達4萬小時以上。據介紹，TK5401封裝內置了高電壓功率MOS管及控制電路，因去除電解電容實現了小型化、低成本，并且實現了LED燈的長壽命和高效能。
2010-05-07
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D類音頻功率放大器的熱耗散分析
D類放大器的散熱片可以根據輸出功率的半峰值安全地設計尺寸。但是，設計師們仍必須確定準確的散熱片的尺寸，成本和應用。放大器的PCB設計也可以用于減小散熱量。采用大規模集成電路的銅墊以及連接IC的所有最寬的PC走線可以最大限度的降低功耗。本文詳細介紹D類音頻功率放大器的熱耗散分析
2010-05-05
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CMIC：薄膜電池發展投資超晶硅電池7-8倍
“薄膜電池成本比晶硅電池成本低，但動輒數億元投資卻是晶硅電池的7—8倍，再加上在生產過程中同步產生的技術成本、設備成本、運輸成本，其整體成本相比晶硅電池并不具有明顯優勢，甚至會做虧本?！庇嘘P人士透露，目前薄膜電池的轉化效率平均在10%左右，相比晶硅電池的17%—20%，還有一定距離。
2010-05-05
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恩智浦半導體北京聲學工廠遷址擴產
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）今天在北京經濟技術開發區(BDA)為其在此落成的聲學解決方案新工廠舉行了盛大的開幕典禮。從而將恩智浦半導體先進的矩形揚聲器生產線從奧利地維也納轉移到中國來，以便進一步的提高中國聲學解決方案工廠的生產能力。
2010-05-04
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LM3464 ：國半推出首款具有動態電壓調整功能的大功率LED 驅動器
美國國家半導體公司（National Semiconductor Corporation ）宣布推出業界首款具有動態電壓調整功能并擁有多條輸出通道的大功率 LED 驅動器。這款控制器的特點是可以驅動多達4串LED ，每串LED 的驅動電流大小一致，偏差極小，而且效率極高。這款型號為 LM3464 的控制器屬于美國國家半導體PowerWise? 高能效系列，可以最大化提高系統效率，精簡系統設計，從而降低開發成本，尤其適用于需要大量采用 LED 驅動器的照明系統，例如工業照明系統、路燈及汽車照明系統。
2010-05-04
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iSuppli：太陽能電池板跌價 PV系統建量今年將增至136億瓦
iSuppli近日驟然上調今(2010)年內，太陽電光能(Photovoltaic，PV)系統的預期建置量，并表示先前太陽能電池板價格暴跌，估計在德國的銷售量將因此向上激增。
2010-05-04
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2010年3月臺灣液晶面板銷售額環比增加25％
2010年3月友達光電（AU Optronics，AUO）的大屏幕液晶面板供貨量為環比增加22％的977萬張，創下歷史新高。原因是面向品牌廠商的電視機面板需求出現增加，個人電腦用面板的采購持續活躍。
2010-05-04
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IC設計產業緊貼創新應用，后起之“秀”6月驚艷登場
就在不久前舉行的香港電子展上，瑞芯微一口氣推出和展示了五十多款移動互聯創新應用方案，涵蓋iMID（5英寸屏幕以內）、3G MID（內置3G SIM卡）、平板電腦（中國芯iPad）、智能手機（Android+3G+720P）、電子閱讀器（俗稱電子書）、無線數碼相框等一系列革新性終端產品。盡管這是一家芯片廠商，但它的展位上幾乎看不到芯片的影子。
2010-04-30
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SO-8系列：恩智浦發布全系列LFPAK封裝功率產品
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）近日成為首個發布以LFPAK為封裝（一種緊湊型熱增強無損耗的封裝）全系列汽車功率MOSFET的供應商。結合了恩智浦在封裝技術及TrenchMOS技術方面的優勢和經驗，新的符合Q101標準的LFPAK封裝MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）被認為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝。LFPAK封裝針對高密度汽車應用進行了優化，其面積比DPAK封裝減小了46%而具有與DPAK封裝近似的熱性能。
2010-04-30
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HDI系列:Sensortechnics推出3V電池的高精度壓力傳感器
Sensortechnics推出3-V電池的高精度壓力傳感器，HDI系列壓力傳感器能夠測量的絕對、差分或規表壓力,測量范圍從10 mbar到高達5 bar，3Vdc工作電源，使其適用于電池供電的手提或手持設備中。該傳感器實現了精準數字信號調理和在0°~85°C范圍內實現總誤差帶(TEB)優于±0.5% FSS的精度。
2010-04-29
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Si8499DB：Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT?封裝的P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內，這款20V器件提供業內P溝道MOSFET最低的導通電阻。
2010-04-29
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