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2012年半導體產(chǎn)業(yè)營收將增長最多4%
美國華爾街分析師預測，全球半導體產(chǎn)業(yè)營收繼2011年成長1~2%之后，2012年成長率將在0~4%之間。“我們仍維持對半導體產(chǎn)業(yè)的樂觀看法，認為景氣將在2012年第一季觸底，并在下半年隨著庫存去化而全面復蘇；下半年產(chǎn)業(yè)成長率表現(xiàn)可望超越終端市場。”BarclaysCapital分析師CJMuse表示，該機構估計2012年半導體產(chǎn)業(yè)成長率將表現(xiàn)持平、最多至4%，與低于原先預期的全球GDP成長率一致。
2012-01-11
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2011年臺灣光電產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值再衰退 幅度達7%
根據(jù)光電協(xié)進會PIDA統(tǒng)計，2011年臺灣光電產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值再次衰退，衰退幅度達7％、更甚于金融風暴；其中電子紙產(chǎn)值成長率高達85％，成為最大亮點。由于平面顯示器應用產(chǎn)品市場已經(jīng)趨于成熟，預估整體平面顯示器產(chǎn)業(yè)的高度成長期已過，未來成長端看新興市場和AMOLED等新技術。
2012-01-10
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面板業(yè)高成長不再但OLED后勢看好
光電協(xié)進會PIDA于今（4）日舉行年度研究成果發(fā)表會。根據(jù)PIDA統(tǒng)計，2011年全球平面顯示器產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值較前一個年度萎縮了6%，臺灣大尺寸TFT-LCD面板產(chǎn)值約達7969億元新臺幣、更年減達15%。主要系因為消費市場受到歐債危機嚴重沖擊，加上各項平面顯示器（尤其TFT-LCD液晶面板）應用產(chǎn)品市場已經(jīng)趨于成熟所致。預估整體平面顯示器產(chǎn)業(yè)的高度成長期已接近尾聲，未來的成長性將與區(qū)域經(jīng)濟表現(xiàn)有關。
2012-01-06
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基于PIC18F452的測頻儀設計方案
介紹一種測頻儀的設計方案，并將此儀器應用到云南天文臺麗江2.4m望遠鏡圓頂溫度的測量工作中。詳細闡述了PIC18F452自帶的CCP模塊的測頻原理，同時給出了儀器軟硬件的設計思路，最后在Proteus中對系統(tǒng)進行了仿真測試。測試結果表明了該方案的可行性。該儀器的研制也為西部望遠鏡的選址工作提供了一種有效的測量工具。
2011-12-31
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臺灣今年LED總產(chǎn)值仍維持全球第一
受到歐美債信問題影響，加上終端市場能見度低迷，使得全球LED產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)不如市場預期，總產(chǎn)值年增率僅2.6%，但據(jù)光電協(xié)進會(PIDA)分析，以主要產(chǎn)業(yè)鏈的總產(chǎn)值作為產(chǎn)業(yè)規(guī)模來看，臺灣LED總產(chǎn)值仍維持全球第一地位。
2011-12-29
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ML7109S：羅姆聯(lián)合清華大學開發(fā)出小型/低功耗解調IC用于地面數(shù)字電視
羅姆集團旗下的LAPIS Semiconductor Co., Ltd.通過與中國清華大學技術合作，現(xiàn)已成功開發(fā)出最適宜對按照中國地面數(shù)字電視傳輸標準（GB 20600-2006）（DTMB）信號進行高性能解調、糾錯的IC “ML7109S”。
2011-12-27
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2012年LTPS及IGZO面板將迅速成長150%
據(jù)NPD DisplaySearch 智能手機和平板電腦爆發(fā)式成長，使得LTPS（low temperature polysilicon低溫多晶硅技術）和IGZO（indium gallium zinc oxide組成的非結晶氧化物半導體技術）等生產(chǎn)高分辨率顯示器技術更為重要。這些TFT技術采用高移動速率半導體材料以減小TFT維度，提高光穿透率。分辨率超過每英寸230像素(230 PPI)的液晶面板，如蘋果的Retina Display，高光穿透率可以使能耗降到最低，使可攜式設備可長時間使用而不用充電。
2011-12-27
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數(shù)字電位器在DC-DC變換器中的應用
數(shù)字電位器（DCP）是數(shù)控電阻大小的器件，數(shù)控的接口方式有直接按鍵方式、三線接口方式（選片線、方向線、脈沖線）、SPI接口方式和I2C接口方式。通常用于校準系統(tǒng)精度和控制系統(tǒng)參數(shù)的大小。
2011-12-26
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12位串行A/D轉換器的原理及應用開發(fā)
MAXl224/MAXl225系列12位模/數(shù)轉換器(ADC)具有低功耗、高速、串行輸出等特點，其采樣速率最高可達1．5Ms/s，在+2．7V至+3．6V的單電源下工作，需要1個外部基準源；可進行真差分輸入，較單端輸入可提供更好的噪聲抑制、失真改善及更寬的動態(tài)范圍；同時，具有標準SPITM/QSPITM/MI-CROWWIRETM接口提供轉換所需的時鐘信號，可以方便地與標準數(shù)字信號處理器(DSP)的同步串行接口連接。
2011-12-23
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交錯并聯(lián)的低壓大電流DC - DC 變換器設計
本文通過n 個倍流整流結構交錯并聯(lián)方式用以進一步減小紋波電流。給出了電路的開關信號波形和仿真模型， 并使用Pspice 仿真軟件對該模型進行仿真， 取得滿意效果。最后通過實驗驗證。這種結構特別適用于通信設備、計算機、宇航等領域的電源。
2011-12-23
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蓄電池分級恒流充電電源設計方案
根據(jù)蓄電池分級恒流充電的要求，本文給出一種基于DSP、變參數(shù)積分分離PI 控制的新型蓄電池恒流充電電源的設計方案。介紹了電源的系統(tǒng)結構、工作原理、控制策略及軟件設計。目前該電源已投入工程使用，可對堿性或酸性蓄電池進行恒流循環(huán)和補充充電。
2011-12-22
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耦合電感SEPIC轉換器的優(yōu)勢
端初級電感轉換器 (SEPIC) 能夠通過一個大于或者小于調節(jié)輸出電壓的輸入電壓工作。除能夠起到一個降壓及升壓轉換器的作用以外，SEPIC 還具有最少的有源組件、一個簡易控制器和鉗位開關波形，從而提供低噪聲運行。看是否使用兩個磁繞組，是我們識別 SEPIC 的一般方法。這些繞組可繞于共用鐵芯上，其與耦合雙繞組電感的情況一樣，或者它們也可以是兩個非耦合電感的單獨繞組。設計人員通常不確定哪一種方法最佳，以及兩種方法之間是否存在實際差異。本文對每種方法進行研究，并討論每種方法對實際 SEPIC 設計產(chǎn)生的影響。
2011-12-21
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- 不同拓撲結構中使用氮化鎵技術時面臨的挑戰(zhàn)有何差異？
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