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集成驅動器！原來，GaN電源系統(tǒng)性能升級的奧秘在這里~
如今，以GaN和SiC為代表的第三代半導體技術風頭正勁。與傳統(tǒng)的半導體材料相比，GaN和SiC禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導電率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強……因此可實現(xiàn)更高的功率密度、更高的電壓驅動能力、更快的開關頻率、更高的效率、更佳的熱性能、更小的尺寸，在高溫、高頻、高功率、高輻射等功率電子應用領域，不斷在向傳統(tǒng)的硅基IGBT和MOSFET器件發(fā)起強勁的沖擊。
2022-02-17
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SiC MOSFET模塊的硬并聯(lián)
以對稱的布板設計來實現(xiàn)4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)，給出了實際的測量結果。最后還通過門特卡羅分析來演繹批量器件應用在并聯(lián)場合下的溫度偏差。由此可以看出碳化硅MOSFET并聯(lián)使用的可行性。
2022-02-17
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貿澤與Qorvo攜手推出全新電子書探索電子設計中的電源效率
專注于引入新品的全球半導體和電子元器件授權分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Qorvo?攜手推出全新電子書《Powering Up Your Design》（讓電源管理為設計注入活力），重點介紹新一代技術和器件如何受益于高效電源管理。本書中，來自Qorvo和貿澤的行業(yè)專家對電源管理中至關重要的元件、架構和應用進行了深入分析。
2022-02-17
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充分挖掘SiC FET的性能
功率轉換器的性能通常歸結到效率和成本上。實際示例證明，在模擬工具的支持下，SiC FET技術能兼顧這兩點。
2022-02-16
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安森美的NCP1680 PFC控制器獲2021 PowerBest獎
領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi）很高興地宣布，其領先市場的NCP1680臨界導通模式(CrM)無橋圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)控制器獲《Electronic Design》授予PowerBest獎。
2022-02-15
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專為MPS IC優(yōu)化的表面貼裝電感
MPS新型表面貼裝功率電感適用于各種電源和功率變換器應用。其一體成型電感和半屏蔽式系列電感的電感范圍為0.33μH至22μH，飽和電流范圍為0.8 A至64 A。
2022-02-15
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ROHM確立了可更大程度追求電源IC響應性能的創(chuàng)新電源技術“QuiCurTM”
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）確立了一種新電源技術“QuiCurTM”，可改善包括DC/DC轉換器IC在內的各種電源IC的負載響應特性*1（以下稱為“響應性能”，指后級電路工作時的響應速度和電壓穩(wěn)定性）。
2022-02-14
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SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用于各種電源應用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨使用外，還有串聯(lián)連接、并聯(lián)連接等多種使用方法。
2022-02-11
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理想開關自身會帶來挑戰(zhàn)
隨著我們的產品接近邊沿速率超快的理想半導體開關，電壓過沖和振鈴開始成為問題。適用于SiC FET的簡單RC緩沖電路可以解決這些問題，并帶來更高的效率增益。
2022-02-10
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派恩杰SiC驅動設計新探索：如何避免誤開通？
隨著SiC 工藝逐漸成熟和成本不斷下降，SiC MOSFET憑借整體性能優(yōu)于硅基器件一個數(shù)量級的優(yōu)勢正逐漸普及，獲得越來越多的工程應用。相較于傳統(tǒng)的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的導通電阻，更快的開關速度，使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現(xiàn)變換器的高效高功率密度化，因此廣泛適用于5G數(shù)據(jù)中心通信電源，新能源汽車車載充電機，電機驅動器，工業(yè)電源，直流充電樁，光伏，UPS等各類能源變換系統(tǒng)中。
2022-02-10
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SiC功率器件使用過程中的常見問題集（上）
由于SiC 材料具有更高的擊穿場強、更好的熱穩(wěn)定性、更高的電子飽和速度及禁帶寬度，因此能夠大大提高功率器件的性能表現(xiàn)。相較于傳統(tǒng)的Si功率器件，SiC 器件具有更快的開關速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現(xiàn)變換器的高效高功率密度化。當前碳化硅功率器件主要在新能源汽車的車載充電機、充電樁、計算機電源、風電逆變器、光伏逆變器、大型服務器電源、空調變頻器等領域，根據(jù)Yole估計，未來市場將有每年30% 左右的高速增長。為此，派恩杰推出1700V,1200V,650V各種電壓等級SiC MOSFET以應對市場需求。在從硅器件到碳化硅器件使用轉變過程中，客戶常常會遇到一些疑問或者使用問題，為此，派恩杰針對客戶的問題進行歸納總結并分享一些解決辦法。
2022-02-09
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將ICT和FCT優(yōu)勢結合在單個測試適配器中
一般以針床來測試不上電的電路板，使用直接數(shù)字合成（DDS）和離散傅立葉變換（DFT）等技術生成刺激信號進行模擬測量分析，以此讓在線測試儀（ICA）測量電感、電容、阻抗和電阻等實際數(shù)據(jù)，以便確認所有被測器件（DUT）測試節(jié)點的結果在公差范圍內，以及是否有開路、短路、錯件或極性接反的問題。這些都在不上電的情況下進行測量。繼電器多路復用器可以用來連接探針觸點和電路板的模擬通道或數(shù)字驅動器/傳感器（D/S）（圖1）。
2022-02-09
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