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共模電感技術深度解析：噪聲抑制、選型策略與原廠競爭格局
在高速數字電路和開關電源系統中，共模噪聲如同無形的電磁污染，通過寄生電容和空間輻射耦合，威脅著電子設備的穩定運行。共模電感（Common Mode Choke）作為電磁兼容設計的核心元件，在百kHz至GHz頻段內構建起抑制電磁干擾的關鍵屏障6。其獨特的雙繞組磁路結構能夠區分共模干擾與差模信號：對共模噪聲呈現高阻抗進行阻隔，對有用差模信號則保持低阻抗通路。這種選擇性濾波特性，使其成為現代電子設備通過嚴格EMC認證不可或缺的元件。
2025-07-22
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3μV噪聲極限！正弦波發生器電源噪聲凈化的七階降噪術
當10MHz正弦波的電源抑制比（PSRR）下降20dB，輸出信號總諧波失真（THD）將惡化10倍！高頻開關電源的百mV級紋波、LDO基準源的μV級噪聲，甚至PCB地彈效應，都可能在輸出頻譜上產生-60dBc的雜散。本文揭示三類電源噪聲（低頻紋波/高頻開關/地回路干擾）的耦合路徑，并提供從芯片級到系統級的七重凈化方案，助您將電源噪聲壓至<3μV RMS。
2025-06-30
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μV級精度保衛戰：信號鏈電源噪聲抑制架構全解，拒絕LSB丟失！
在精密測量、醫療儀器及工業傳感系統中，信號鏈的μV級精度直接決定系統性能上限。而電源噪聲，常以隱形殺手的姿態吞噬ADC/DAC的有效位數——當1mV電源紋波可導致12位ADC丟失4個LSB時，電源架構選型便成為精度保衛戰的核心戰場。本文從噪聲頻譜與拓撲本質出發，拆解LDO、開關電源及混合架構的噪聲基因，并通過多場景實測數據，揭示高精度信號鏈的電源設計法則。
2025-06-19
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高頻時代的電源革命：GaN技術如何顛覆傳統開關電源架構？
在電力電子系統對能效和功率密度要求日益嚴苛的背景下，氮化鎵（GaN）技術已成為推動開關模式電源（SMPS）發展的核心動力。相較于傳統硅基器件，GaN憑借其3.4eV的寬禁帶特性、更高的電子遷移率（990-2000 cm2/V·s）及更低的導通電阻（RDS(ON)），可將開關頻率提升至兆赫級，同時減少30%以上的能量損耗。然而，其實際應用中仍面臨驅動設計、熱管理、電磁兼容性等挑戰。以半橋降壓轉換器為例，GaN開關的柵極電壓耐受值更低（通常<6V），且快速切換（dV/dt達100V/ns）易引發寄生振蕩和電磁干擾（EMI），這對電路布局和驅動控制提出了更高要求。
2025-06-09
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MOS管在開關電源中的核心作用及其關鍵性能參數對設計的影響
金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，簡稱MOSFET)是現代電子技術中不可或缺的元器件之一，在開關電源設計中扮演著至關重要的角色。開關電源作為現代電力轉換和管理的核心組件，其性能與效率在很大程度上依賴于MOS管的選擇與應用。本文將深入探討MOS管在開關電源中的具體作用，并剖析其關鍵性能參數對電源整體性能的影響。
2025-01-25
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ESR 對陶瓷電容器選擇的影響（下）
在樓氏電容事業部，我們深知 ESR 對這些高功率或高頻率電路的影響，因為 Q 值在這些電路中至關重要。同時，我們也意識到，由于ESR會隨著設備工作頻率的改變而變化，因此并不存在一種適用于所有情況的超低ESR電容器。為此，我們精心打造了一系列II類陶瓷電介質電容器（根據芯片尺寸選用BX或X7R材料），這些電容器不僅具備卓越的容積效率，而且壓電效應微乎其微。我們專門針對惡劣環境設計了一系列產品，例如在大功率寬帶耦合和開關電源中，以確保產品的可靠運行。
2025-01-03
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車用開關電源的開關頻率定多高才不影響EMC？
本文探討了汽車電力應用中開關電源的開關頻率如何確定，以及高開關頻率對電磁兼容性（EMC）的影響。文章分析了不同應用場景下EMC標準的差異，以及如何通過系統評估和電路板布局優化來滿足這些標準。
2024-10-31
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【測試案例分享】使用示波器自動化測量電源開關損耗
開關電源是當前電子信息飛速發展不可或缺的電源方式之一。開關電源以其功耗小、效率高、節能效果顯著的優勢，廣泛應用于各種消費類電子以及各類供電系統當中，成為一種主流的電源產品。
2024-08-25
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如何在沒有軟啟動方程的情況下測量和確定軟啟動時序？
電源管理IC通常包含稱為軟啟動的內置功能。軟啟動功能主要見于開關電源中，但也可見于線性電源(LDO)中，作用是在啟動期間以受控方式逐漸提高輸出電壓，從而限制沖擊電流，這有助于防止初始通電時電流或電壓突然激增。大多數開關電源都帶有軟啟動功能，該功能可以從外部調節或在內部設置。
2024-08-23
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SW與電感之間的鋪銅面積越大越好嗎？
開關電源是以功率MOS為核心的電能變換器，除了芯片自身的參數會對電能質量產生較大影響外，PCB的設計也是非常重要。
2024-06-19
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MOSFET器件的高壓CV測試詳解
MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開關速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設計者需要知道這些參數。例如，設計一個高效的開關電源將要求設計者知道設備的電容，因為這將影響開關速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標說明書中提供。
2024-06-08
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超結MOS在全橋電路上的應用
全橋電路廣泛應用于電力電子領域，如開關電源、變頻器、逆變器、電動汽車、工業自動化等領域 。在電路中，全橋電路可以使直流電轉換成交流電；在電機控制中，全橋電路可用于變頻調速和正弦波控制。
2024-06-03
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