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2010年半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)將勁揚(yáng)113.2%
Gartner副總裁Klaus Rinnen表示：技術(shù)升級，將帶動(dòng) 2010年半導(dǎo)體資本設(shè)備市場的成長。對40奈米和45奈米設(shè)備的需求大幅增加，帶動(dòng)晶圓代工的龐大資本支出。英特爾對3x奈米的投資，NAND 記憶體制造商支出增加，以及升級至下一世代 DDR3 DRAM 記憶體，皆為主要的投資成長動(dòng)能。
2010-06-21
半導(dǎo)體 設(shè)備產(chǎn)業(yè) Gartner
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基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
Si襯底的GaN基LED制造技術(shù)是國際上第三條LED制造技術(shù)路線，是LED三大原創(chuàng)技術(shù)之一，與前兩條技術(shù)路線相比，它具有哪些優(yōu)勢？本文為你詳細(xì)講解基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)。
2010-06-21
Si襯底 GaN基 LED
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LED照明和太陽能應(yīng)用點(diǎn)亮北京節(jié)能展
近日，以“低碳技術(shù)、綠色經(jīng)濟(jì)”為主題的2010中國北京國際節(jié)能環(huán)保展覽會(huì)在京拉開帷幕，此次展覽會(huì)由北京市政府與國家發(fā)展和改革委員會(huì)主辦，展會(huì)既為中外參展企業(yè)搭建了交流的平臺(tái)，又給廣大百姓提供了了解節(jié)能減排、低碳生活知識(shí)的課堂。
2010-06-18
節(jié)能展 LED 照明 太陽能 熱水器 低碳 綠色經(jīng)濟(jì)
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IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200VRC-IGBT，并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進(jìn)步。
2010-06-18
IGBT 軟開關(guān) 損耗 TrenchStop RC-IGBT
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Harwin授予Mouser本年度全球目錄分銷商獎(jiǎng)
2010年6月10日，Mouser榮獲Harwin頒發(fā)的2009/2010目錄分銷商年度獎(jiǎng)。
2010-06-17
Harwin Mouser 目錄分銷商
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用于可靠工業(yè)測量的隔離技術(shù)
電壓、電流、溫度、壓力、應(yīng)變和流速的測試是工業(yè)控制與過程控制應(yīng)用不可或缺的一部分。通常，這些應(yīng)用所處的環(huán)境具有危險(xiǎn)的電壓、瞬態(tài)信號、共模電壓和地電位波動(dòng)，這會(huì)使測量系統(tǒng)受損并破壞測量的精度。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，專為工業(yè)應(yīng)用所設(shè)計(jì)的測量系統(tǒng)采用了電氣隔離技術(shù)。本文聚焦于用于模擬測量...
2010-06-17
光學(xué)隔離 電容隔離 模擬隔離
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電壓容限原理及其它介紹
為什么需要容限呢？容限能夠?qū)φ鎸?shí)系統(tǒng)中數(shù)字信號的非理想發(fā)送和接收缺陷進(jìn)行哪些補(bǔ)償。本文為你介紹電壓容限原理和應(yīng)用
2010-06-17
電壓容限 直流電源 電壓門限
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Vishay發(fā)布節(jié)約器件空間和成本的解決方案視頻
日前， Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為幫助客戶了解在一個(gè)小尺寸器件內(nèi)組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節(jié)省DC-DC轉(zhuǎn)換器的空間和成本，
2010-06-17
Vishay MOSFET 器件 SiZ700DT
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我國RFID今年可達(dá)120億元
從日前閉幕的“2010中國國際智能卡與RFID博覽會(huì)暨第八屆中國(北京)RFID與物聯(lián)網(wǎng)國際峰會(huì)”上獲悉，我國RFID市場已經(jīng)呈現(xiàn)高速發(fā)展態(tài)勢，去年的市場規(guī)模已達(dá)85.1億元，僅次于美國和英國居全球第三位，比上年增長25.9%，預(yù)計(jì)今年這一數(shù)字可以達(dá)到120億元。
2010-06-17
物聯(lián)網(wǎng) RFID 智能卡
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