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H 橋直流電機(jī)應(yīng)用中快速衰減模式
電機(jī)在禁用時(shí)能夠快速停止在特定位置。因此，考慮到這一要求，我首先確信采用快速衰減模式就是我所需要的。可以合理地假設(shè)“快速衰減”對(duì)應(yīng)于快速減速。我錯(cuò)了。在閱讀了這個(gè)問(wèn)題后，我意識(shí)到術(shù)語(yǔ)慢衰減和快衰減與流經(jīng)電感器的電流相關(guān)，并且與直流電機(jī)的行為沒(méi)有直接關(guān)系。
2023-07-08
H 橋直流電機(jī)應(yīng)用 快速衰減模式
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高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)及其應(yīng)用
在現(xiàn)今電力電子領(lǐng)域，高壓（HV）分立功率半導(dǎo)體器件變得越來(lái)越重要，Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si)MOSFET產(chǎn)品系列以滿足發(fā)展中的需求。這些產(chǎn)品具有較低的損耗、更好的雪崩特性，以及高可靠性。本文重點(diǎn)介紹Littelfuse提供的≥2 kVHV分立硅MOSFET器件。
2023-07-08
高壓分立功率半導(dǎo) 分立Si MOSFET 電力電子領(lǐng)域
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PCB傳統(tǒng)四層堆疊的缺點(diǎn)
如果層間電容不夠大，電場(chǎng)將分布在電路板相對(duì)較大的區(qū)域上，從而層間阻抗減小，返回電流可以流回頂層。在這種情況下，該信號(hào)產(chǎn)生的場(chǎng)可能會(huì)干擾附近改變層的信號(hào)的場(chǎng)。這根本不是我們所希望的。不幸的是，在 0.062 英寸的 4 層板上，各層之間的距離較遠(yuǎn)（至少 0.020 英寸，如圖 1 和圖 2 所示），并...
2023-07-07
PCB 四層堆疊
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補(bǔ)償 EMI 濾波器 X 電容對(duì)有源 PFC 功率因數(shù)的影響
現(xiàn)代開關(guān)模式電源使用 X 電容器和 Y 電容器與電感器的組合來(lái)過(guò)濾共模和差模 EMI。濾波器元件位于任何有源（或無(wú)源）功率因數(shù)校正 (PFC) 電路的前面（圖 1），因此 EMI 濾波器的電抗對(duì)功率因數(shù) (PF) 造成的任何失真都會(huì)改變甚至完美的功率因數(shù)校正 (PFC) 電路。修正了電壓-電流關(guān)系。
2023-07-06
EMI 濾波器 X 電容 PFC 功率
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利用MAXQ3210進(jìn)行環(huán)境監(jiān)視
在MAXQ系列以及其他嵌入式微控制器中，MAXQ3210獨(dú)具特色。它把基于EEPROM的代碼和 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、壓電喇叭驅(qū)動(dòng)器、9V穩(wěn)壓器集成在低引腳數(shù)封裝內(nèi)。高性能的16位RISC核使其運(yùn)行 速度快，并且省電。由于是基于MAXQ10核， MAXQ3210不同于其他的MAXQ微控制器，它采 用的是8位累加器，而不是16位累加器。MAXQ...
2023-07-06
MAXQ3210 環(huán)境監(jiān)視
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PCB 布局來(lái)減少二次諧波失真
值得一提的是，實(shí)際上，變壓器輸出不是理想的差分信號(hào)——兩個(gè)輸出之間可能存在相位和/或幅度不平衡。這些不平衡會(huì)增加二次諧波失真。可以看出，二次諧波幅度受相位不平衡的影響比幅度不平衡的影響更嚴(yán)重。
2023-07-06
PCB 諧波失真
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了解壓電傳感器：壓電效應(yīng)
壓電加速度計(jì)的個(gè)關(guān)鍵方面是壓電效應(yīng)。一般來(lái)說(shuō)，壓電材料在受到機(jī)械應(yīng)力時(shí)可以產(chǎn)生電力。相反，對(duì)壓電材料施加電場(chǎng)可以使其變形并產(chǎn)生小的機(jī)械力。盡管大多數(shù)電子工程師都熟悉壓電效應(yīng)，但有時(shí)并沒(méi)有完全理解這種有趣現(xiàn)象的細(xì)節(jié)。
2023-07-06
壓電傳感器 壓電效應(yīng)
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DC/DC開關(guān)電源電感下方到底是否鋪銅？
電感有交變電流，電感底部鋪銅會(huì)在地平面上產(chǎn)生渦流，渦流效應(yīng)會(huì)影響功率電感的電感量，渦流也會(huì)增加系統(tǒng)的損耗，同時(shí)交變電流產(chǎn)生的噪聲會(huì)增加地平面的噪聲，會(huì)影響其他信號(hào)的穩(wěn)定性。
2023-07-04
DC/DC開關(guān)電源 電感 鋪銅
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耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品
功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動(dòng)電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零時(shí)，功率MOSFET需要作為常“開”開關(guān)運(yùn)行。在VGS=0V時(shí)作為常 "開 "開關(guān)的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。
2023-07-04
功率MOSFET 浪涌保護(hù) 高壓保護(hù)
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